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参数资料
| 型号： | TC4452VMF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 44ns |
| 电流 - 峰： | 13A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
TC4451/TC4452
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DS21987B-page 16
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM2-25.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD |
| EBC10DRAI | CONN EDGECARD 20POS R/A .100 SLD |
| TC4451VMF713 | IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN |
| T95C107M016CZSS | CAP TANT 100UF 16V 20% 2812 |
| TC4451VMF | IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4452VMF713 | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4452VOA | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4452VOA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
| TC4452VOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4452VPA | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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