参数资料
型号: TC4452VMF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 21/26页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 44ns
电流 - 峰: 13A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
TC4451/TC4452
APPENDIX A:
REVISION HISTORY
Revision B (March 2012)
The following is the list of modifications:
1.
2.
3.
Added V DD Ramp Rate value in both DC
Characteristics and DC Characteristics (Over
Operating Temperature Range) tables.
Updated package thermal resistances values in
Temperature Characteristics table.
Updated package specification drawings in
Section 5.0, Packaging Information to show all
available drawings.
Revision A (February 2006)
Original release of this document.
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
DS21987B-page 21
相关PDF资料
PDF描述
ABM2-25.000MHZ-D4Y-T CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD
EBC10DRAI CONN EDGECARD 20POS R/A .100 SLD
TC4451VMF713 IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
T95C107M016CZSS CAP TANT 100UF 16V 20% 2812
TC4451VMF IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
相关代理商/技术参数
参数描述
TC4452VMF713 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VOA 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VOA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC
TC4452VOA713 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VPA 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube