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参数资料
| 型号： | TC4469MJD |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR AND/INV 14CDIP |
| 标准包装： | 29 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 1.2A |
| 配置数： | 4 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-CDIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-CERDIP |
| 包装： | 管件 |
TC4467/TC4468/TC4469
2.0
Note:
60
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONTINUED)
(Load on single output only).
60
50
V DD = 18 V
2 MH z
1 MHz
50
V DD = 18 V
2200 pF
1 000 pF
40
30
20
5000 kHz
40
30
20
100 pF
10
200 kHz
10
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-13:
Capacitive Load.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
200 kHz
FIGURE 2-16:
Frequency.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
100 pF
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-14:
Capacitive Load.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
FIGURE 2-17:
Frequency.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
0
100
1000
200 kHz
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
100 pF
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-15:
Supply Current vs.
FIGURE 2-18:
Supply Current vs.
Capacitive Load.
? 2002 Microchip Technology Inc.
Frequency.
DS21425B-page 7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4489CPD | 功能描述:IC QUAD CMOS DR AND/INV SW 14DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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