参数资料
型号: TC55NEM216AFTN70
厂商: Toshiba Corporation
英文描述: CONNECTOR ACCESSORY
中文描述: 连接器附件
文件页数: 7/11页
文件大小: 181K
代理商: TC55NEM216AFTN70
TC55NEM216AFTN55,70
2002-07-04 7/11
WRITE CYCLE 2 (CE
(See Note 4)
WRITE CYCLE 3 ( , LB
(See Note 4)
R/W
t
WC
t
AS
t
WR
t
WP
t
CW
VALID DATA IN
t
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Hi-Z
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BW
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COE
UB
, LB
(See Note 5)
Address
A0~A17
D
OUT
I/O1~16
D
IN
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CE
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CW
(See Note 5)
Address
A0~A17
D
OUT
I/O1~16
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I/O1~16
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