- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384953 > TC55NEM216AFTN70 (Toshiba Corporation) CONNECTOR ACCESSORY PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TC55NEM216AFTN70 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 连接器附件 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | TC55NEM216AFTN70 |
TC55NEM216AFTN55,70
2002-07-04 8/11
Note:
(1)
R/W remains HIGH for the read cycle.
(2)
If CE(or UB or LB) goes LOW coincident with or after R/W goes LOW, the outputs will remain at
high impedance.
(3)
If CE(or UB or LB) goes HIGH coincident with or before R/W goes HIGH, the outputs will remain at
high impedance.
(4)
If OE is HIGH during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.
(5)
Because I/O signals may be in the output state at this time, input signals of reverse polarity must not be
applied.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (
Ta
=
40
°
to 85
°
C
)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
V
DH
Data Retention Supply Voltage
2.0
5.5
V
Ta
=
40~40
°
C
3
I
DDS2
Standby Current
Ta
=
40~85
°
C
20
μ
A
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
0
ns
t
R
Recovery Time
5
ms
CE
(See Note 2)
, CONTROLLED DATA RETENTION MODE
V
DD
4.5 V
GND
V
IH
DATA RETENTION MODE
t
R
(See Note 3)
(See Note 3)
t
CDR
V
DD
V
DD
0.2 V
UB
, LB
V
DD
4.5 V
GND
V
IH
DATA RETENTION MODE
t
R
(See Note 1)
(See Note 1)
t
CDR
V
DD
V
DD
0.2 V
CE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC55NEM216AFTN55 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55V1001AFTI | 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位静态RAM) |
| TC55V1001ASRI | 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位静态RAM) |
| TC55V1001ASTI | 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位静态RAM) |
| TC55V1001ATRI | 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC55NEM216ASGV70LA | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| TC55NEM216ASTV55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55NEM216ASTV70 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55NEM216ATGN55LA | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 54TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| TC55RP1101ECB713 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。