参数资料
| 型号： | TISP61089QBDR-S |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE SUPP QUAD PROG SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 64V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 30A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 4 |
| 电容： | 100pF |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | TISP61089QBDR-S-6 |
TISP61089QB SLIC Overvoltage Protector
Thermal Characteristics
R θ JA
Parameter
Junction to free air thermal resistance
Test Conditions
P tot = 0.8 W, T A = 25 °C
5 cm 2 , FR4 PCB
Min
Typ
Max
160
Unit
° C/W
Parameter Measurement Information
I FSP (= | TSP )
+i
Quadrant I
Forward
Conduction
Characteristic
I FSM (= | TSM )
I F
V F
V GK(BO)
-v
I (BO)
V (BO)
V GG
I S
V S
V D
V T
I D
I H
+v
I T
I TSM
Quadrant III
Switching
I TSP
Characteristic
-i
PM6XAAA
Figure 1. Voltage-Current Characteristic
JULY 2010 - REVISED MAY 2012
Speci?cations are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their speci?c applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TB3500M-13-F | THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB |
| TB1500L-13-F | THYRISTOR PROTECT BIDIR 30A SMB |
| TB0720L-13 | THYRISTOR PROTECT BI-DIR 30A SMB |
| 929850-01-05-RA | CONN RECEPT .100 SNGL STR 5POS |
| 929850-01-05-10 | CONN RECEPT .100 SNGL STR 5POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP61089QDR-S | 功能描述:SCR Quad programmable Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP61089S | 制造商:POINN 制造商全称:Power Innovations Ltd 功能描述:DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS |
| TISP61089SD | 制造商:BOURNS 制造商全称:Bourns Electronic Solutions 功能描述:DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS |
| TISP61089SDR | 功能描述:SCR Dual P Gate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP61089SDR-S | 功能描述:SCR Dual P Gate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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