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参数资料
型号： TISP7350F3P-S
厂商： BOURNS INC
元件分类： 浪涌电流限制器
英文描述： 350 V, 5.7 A, SILICON SURGE PROTECTOR, MS-001BA
封装： LEAD FREE, PLASTIC, D008, MS-001, DIP-8
文件页数： 17/23页
文件大小： 509K
代理商： TISP7350F3P-S
MARCH 1994 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Electrical Characteristics for all Terminal Pairs, TA = 25 °C (Unless Otherwise Noted)
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDRM
Repetitive peak off-
state current
VD =VDRM, 0 °C< TA <70 °C
±10
A
V(BO)
Breakover voltage
dv/dt = ±250 V/ms, RSOURCE = 300
‘7125F3
‘7150F3
‘7180F3
‘7240F3
‘7260F3
‘7290F3
‘7320F3
‘7350F3
‘7380F3
±125
±150
±180
±240
±260
±290
±320
±350
±380
V
V(BO)
Impulse breakover
voltage
dv/dt ≤ ±1000 V/s, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value = ±500 V
di/dt = ±20 A/s, Linear current ramp,
Maximum ramp value = ±10 A
‘7125F3
‘7150F3
‘7180F3
‘7240F3
‘7260F3
‘7290F3
‘7320F3
‘7350F3
‘7380F3
±143
±168
±198
±269
±289
±319
±349
±379
±409
V
I(BO)
Breakover current
dv/dt = ±250 V/ms, RSOURCE = 300
±0.1
±0.8
A
VT
On-state voltage
IT = ±5A, tW = 100 s
±5V
IH
Holding current
IT = ±5A, di/dt= - /+30mA/ms
±0.15
A
dv/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85VDRM
±5kV/s
ID
Off-state current
VD = ±50 V
±10
A
Coff
Off-state capacitance
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =0
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =-1 V
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =-2 V
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =-5 V
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =-50 V
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VD =-100 V
f= 1 MHz,
Vd =1 V rms, VDTR =0
(see Note 4)
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
‘7125 thru ‘7180
‘7240 thru ‘7380
37
31
40
34
36
30
31
24
17
13
14
10
20
17
48
41
52
44
47
39
40
31
23
17
18
13
27
23
pF
NOTE
4: Three-terminal guarded measurement, unmeasured terminal voltage bias is zero. First six capacitance values, with bias VD, are
for the R-G and T-G terminals only. The last capacitance value, with bias VDTR, is for the T-R terminals.
Thermal Characteristics
TISP7xxxF3 (MV, HV) Overvoltage Protector Series
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
RθJA
Junction to free air thermal resistance
Ptot =0.8 W, TA = 25 °C
5cm2, FR4 PCB
D Package
160
°C/W
P Package
100
SL Package
135
相关PDF资料
PDF描述
TISP83121D-S 22 A, SILICON SURGE PROTECTOR
TJ32UEB271L 1 ELEMENT, 267.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
TJ32UEB2R2L 1 ELEMENT, 2.11 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
TJ41UEB181L 1 ELEMENT, 178.18 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
TJ41UEB681L 1 ELEMENT, 679.69 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
TISP7350F3SL 功能描述:硅对称二端开关元件 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP7350F3SL-S 功能描述:硅对称二端开关元件 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP7350H3SL 功能描述:硅对称二端开关元件 Triple Element Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP7350H3SL-S 功能描述:硅对称二端开关元件 Triple Element Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP73580H3SL 功能描述:硅对称二端开关元件 275V 600mA RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
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