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参数资料
| 型号： | TISP7350F3P-S |
| 厂商： | BOURNS INC |
| 元件分类： | 浪涌电流限制器 |
| 英文描述： | 350 V, 5.7 A, SILICON SURGE PROTECTOR, MS-001BA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, D008, MS-001, DIP-8 |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 509K |
| 代理商： | TISP7350F3P-S |
MARCH 1994 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Thermal Information
TISP7xxxF3 (MV, HV) Overvoltage Protector Series
Rating
Symbol
Value
Unit
Non-repetitive peak on-state pulse current, 0 °C < TA < 70 °C(see Notes 5, 6 and 7)
IPPSM
A
1/2 (Gas tube differential transient, 1/2 voltage wave shape)
320
2/10 (Telcordia GR-1089-CORE, 2/10 voltage wave shape)
175
1/20 (ITU-T K.22, 1.2/50 voltage wave shape, 25 resistor)
90
8/20 (IEC 61000-4-5, combination wave generator, 1.2/50 voltage wave shape)
150
10/160 (FCC Part 68, 10/160 voltage wave shape)
90
4/250 (ITU-T K.20/21, 10/700 voltage wave shape, dual)
70
0.2/310 (CNET I 31-24, 0.5/700 voltage wave shape)
65
5/310 (ITU-T K.20/21, 10/700 voltage wave shape, single)
65
5/320 (FCC Part 68, 9/720 voltage wave shape)
65
10/560 (FCC Part 68, 10/560 voltage wave shape)
45
10/1000 (Telcordia GR-1089-CORE, 10/1000 voltage wave shape)
40
NOTES: 5.
6. See Applications Information for details on wave shapes.
7. Above 70 °C, derate IPPSM linearly to zero at 150 °C lead temperature.
Initially, the TISP device must be in thermal equilibrium at the specified T . The impulse may be repeated after the TISP
device
returns to its initial conditions. The rated current values may be applied either to the R to G or to the T to G or to the T to R
terminals. Additionally, both R to G and T to G may have their rated current values applied simultaneously (In this case the total
G terminal current will be twice the above rated current values).
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TISP83121D-S | 22 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| TJ32UEB271L | 1 ELEMENT, 267.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TJ32UEB2R2L | 1 ELEMENT, 2.11 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TJ41UEB181L | 1 ELEMENT, 178.18 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TJ41UEB681L | 1 ELEMENT, 679.69 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP7350F3SL | 功能描述:硅对称二端开关元件 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP7350F3SL-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP7350H3SL | 功能描述:硅对称二端开关元件 Triple Element Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP7350H3SL-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Triple Element Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP73580H3SL | 功能描述:硅对称二端开关元件 275V 600mA RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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