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参数资料
| 型号： | TMP89FM42UG |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 10 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封装： | 10 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, QFP-44 |
| 文件页数： | 275/434页 |
| 文件大小： | 6404K |
| 代理商： | TMP89FM42UG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页当前第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页第320页第321页第322页第323页第324页第325页第326页第327页第328页第329页第330页第331页第332页第333页第334页第335页第336页第337页第338页第339页第340页第341页第342页第343页第344页第345页第346页第347页第348页第349页第350页第351页第352页第353页第354页第355页第356页第357页第358页第359页第360页第361页第362页第363页第364页第365页第366页第367页第368页第369页第370页第371页第372页第373页第374页第375页第376页第377页第378页第379页第380页第381页第382页第383页第384页第385页第386页第387页第388页第389页第390页第391页第392页第393页第394页第395页第396页第397页第398页第399页第400页第401页第402页第403页第404页第405页第406页第407页第408页第409页第410页第411页第412页第413页第414页第415页第416页第417页第418页第419页第420页第421页第422页第423页第424页第425页第426页第427页第428页第429页第430页第431页第432页第433页第434页
21.3 Command Sequence
In MCU and serial PROM modes, the command sequence consists of six commands (JEDEC compatible), as shown
in Table 21-1.
Table 21-1 Command Sequence
Command sequence
1st Bus Write Cy-
cle
2nd Bus Write Cy-
cle
3rd Bus Write Cy-
cle
4th Bus Write Cy-
cle
5th Bus Write Cy-
cle
6th Bus Write Cy-
cle
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
1
Byte Program
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0xA0
BA
(Note 1)
Data
(Note 1)
-
2
Sector Erase
(partial erase in units of
4KB)
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0x80
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
SA
(Note 2)
0x30
3
Chip Erase
(all erase)
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0x80
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0x10
4
Product ID Entry
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0x90
-
5
Product ID Exit
0xXX
0xF0
-
6
Security Program
0x#555
0xAA
0x#AAA
0x55
0x#555
0xA5
0xFF7F
0x00
-
Note 1: Specify the address and data to be written (Refer to Table 21-2 about BA).
Note 2: The area to be erased is specified with the upper 4 bits of the address (Refer to Table 21-3 about SA).
Note 3: Do not start the STOP, IDLE0, IDLE1, IDLE2, SLEEP1 or SLEEP0 mode while a command sequence is being executed
or a task specified in a command sequence is being executed (write, erase or ID entry).
Note 4: # ; 0x8 through 0xF should be specified as the upper 4bits of the address. Usually, it is recommended that 0xF is specified.
Note 5: XXX ; Don’t care
21.3.1
Byte program
This command writes the flash memory in units of one byte. The address and data to be written are specified
in the 4th bus write cycle. The range of addresses that can be specified is shown in Table 21-2. For example, to
write data to 0x8000 in the data area, set FLSCR1<FAREA> to "0y00", set "0xD5" on FLSCR2<CR1EN>, and
then specify 0x8000 as an address in the 4th bus write cycle. The time needed to write each byte is 40μs maximum.
The next command sequence cannot be executed if an ongoing write operation is not completed. To check the
completion of the write operation, perform read operations twice on the same address in the flash memory, and
perform polling until the same data is read from the flash memory. During the write operation, bit 6 is reversed
each time a read is performed.
Note 1: To rewrite data to addresses in the flash memory where data (including 0xFF) is already written, make sure
that you erase the existing data by performing a sector erase or chip erase before writing data.
Note 2: The data and code areas become mirror areas. As you access these areas, you are brought to the same
physical address in memory. When performing a Byte Program, make sure that you write data to either of
these two areas, not both.
Note 3: Do not perform a Byte Program on areas other than those shown in Table 21-2.
Table 21-2 Range of Addresses Specifiable (BA)
Write Area
FLSCR1
<FAREA>
Address specified by instruction
(Address of 4th bus write cycle)
AREA D1
(Data area)
0x8000 through 0xFFFF
00
0x8000 through 0xFFFF
AREA C1
(Code area)
0x8000 through 0xFFFF
10
0x8000 through 0xFFFF
TMP89FM42
21. Flash Memory
21.3 Command Sequence
Page 330
RA005
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