参数资料
| 型号： | TPS62125DSGT |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 3/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK SYNC ADJ 0.3A 8WSON |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | DCS-Control™ |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1.2 V ~ 10 V |
| 输入电压： | 3 V ~ 17 V |
| PWM 型： | 混合物 |
| 频率 - 开关： | 1MHz |
| 电流 - 输出： | 300mA |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON 裸露焊盘（2x2） |
| 其它名称： | 296-30461-6 |
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RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
SLVSAQ5C – MARCH 2012 – REVISED DECEMBER 2013
MIN
NOM
MAX
UNIT
Supply voltage V IN
Output current capability
3V ≤ V IN < 6V
6V ≤ V IN ≤ 17V
3
17
200
300
V
mA
, (Unless Otherwise Noted)
Operating ambient temperature T A
(1)
–40
85
°C
Operating junction temperature range, T J
–40
125
°C
(1)
In applications where high power dissipation and/or poor package thermal resistance is present, the maximum ambient temperature may
have to be derated. Maximum ambient temperature (T A(max) ) is dependent on the maximum operating junction temperature (T J(max) ) and
the maximum power dissipation of the device in the application (P D(max) ). see the IC Package Thermal Metrics application report,
SPRA953.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = –40°C to 85°C, typical values are at T A = 25°C (unless otherwise noted), V IN = 12V
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX
UNIT
SUPPLY
V IN
V OUT
Input voltage range (1)
Output voltage range
I OUT = 0mA, Device not switching, EN = V IN ,
regulator sleeps
3.0
1.2
13
17
10
23
V
V
μA
I Q
I Active
I SD
V UVLO
Quiescent current
Active mode current consumption
Shutdown current (2)
Undervoltage lockout threshold
I OUT = 0mA, Device switching, V IN = 7.2V,
V OUT = 1.2V, L = 22μH
V IN = 5V, EN = 1.1V, enable comparator active,
device DC/DC converter off
V IN = 5 V = V OUT , T A = 25°C, high-side MOSFET
switch fully turned on (100% Mode)
Enable comparator off, EN < 0.4V,
V OUT = SW = 0 V, V IN = 5V
Falling V IN
Rising V IN
14
6
230
0.35
2.8
2.9
11
275
2.4
2.85
2.95
μA
μA
μA
V
V
ENABLE COMPARATOR THRESHOLD AND HYSTERESIS (EN, EN_hys)
V TH EN ON
EN pin threshold rising edge
1.16
1.20
1.24
V
V TH EN OFF
EN pin threshold falling edge
3.0 V ≤ V IN ≤ 17V
1.12
1.15
1.19
V
V TH EN Hys
EN pin hysteresis
50
mV
I IN EN
V EN_hyst
I IN EN_hyst
Input bias current into EN pin
EN_hys pin output low
Input bias current into EN_hyst pin
EN = 1.3V
I EN_hyst = 1mA, EN = 1.1V
EN_hyst = 1.3V
0
0
50
0.4
50
nA
V
nA
POWER SWITCH
R DS(ON)
high-side MOSFET on-resistance
low-side MOSFET on-resistance
V IN = 3 V, I = 100mA
V IN = 12V, I = 100mA
V IN = 3V, I = 100mA
V IN = 12V, I = 100mA
2.4
1.5
0.75
0.6
4
2.6
1.3
1
?
I LIMF
T SD
Switch current limit high-side
MOSFET
Thermal shutdown
Thermal shutdown hysteresis
V IN = 12V
Increasing junction temperature
Decreasing junction temperature
600
750
150
20
900
mA
°C
°C
OUTPUT
t ONmin
t OFFmin
Minimum ON time
Minimum OFF time
V IN = 5V, V OUT = 2.5 V
V IN = 5 V
500
60
ns
ns
(1)
(2)
The part is functional down to the falling UVLO (Under Voltage Lockout) threshold
Current into VIN pin
Copyright ? 2012–2013, Texas Instruments Incorporated
3
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