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参数资料
| 型号： | TS1220-600B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Sensitive SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 敏感可控硅（硅控整流管） |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | TS1220-600B |
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9
10 11 12
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10
12
14
P(W)
α
α
α
α
α
I
(A)
T(AV)
180°
α
α
Fig 1:
Maximum average power dissipation versus
average on-state current.
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
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9
10
12
14
Tamb(°C)
P(W)
Tcase (°C)
α
Rth=0°C/W
125
105
110
115
120
Rth(j-a)=37°C/W
Rth(j-a)=80°C/W
Fig 2:
Correlation between maximum average
power dissipation and maximum allowable tem-
peratures (Tamb and Tcase).
Note: Rth=0°C/W is infinite heatsink.
0
25
50
75
100
125
0
1
2
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4
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13
I
(A)
T(AV)
D.C.
α
Tcase(°C)
Fig 3-1:
Average and D.C. on-state current versus
case temperature.
0
25
50
75
100
125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
α
Tamb(°C)
I
(A)
T(AV)
Fig 3-2:
Average and D.C. on-state current versus
ambient temperature (device mounted on FR4 with
recommended pad layout).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
0.2
0.5
1.0
K=[Zth(j-c)/Rth(j-c)]
tp(s)
Fig 4:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
tp(s)
Fig 4-2:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (re-
comended pad layout).
TS1220-600B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS1220 | SENSITIVE SCR |
| TS12N20CS | Single N-Channel 4.5V Specified MicroSurf |
| TS12N30CS | DC-DC Converter Control and Synchronous AceFET |
| TS12 | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TS1220-600B-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H-E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR SCR 600V 115A 3PIN IPAK - Rail/Tube |
| TS1220-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600T | 功能描述:SCR 12A SCR 2 to 5mA IGT-Calibrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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