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参数资料
| 型号： | TS1220-600B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Sensitive SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 敏感可控硅（硅控整流管） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | TS1220-600B |
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
GT H
GT H
I
GT
I
H
Tj(°C)
Fig 5:
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I [R
] / I [R
H
=1k ]
H
GK
GK
Tj=25°C
R
( )
GK
Fig 6:
Relative variation of holding current versus
gate-cathode resistance (typical values).
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
I
A)
TSM(
Tj initial=25°C
F=50Hz
Number of cycles
Fig 7:
Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
1
2
5
10
10
100
500
I
(A),I2t(A2s)
TSM
Tj initial=25°C
I
TSM
I2t
tp(ms)
Fig 8:
Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width tp<10ms, and cor-
responding value of I
2
t.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
TM
Tj max.:
Vto=0.85V
Rt=31m
Tj=Tj max.
Tj=25°C
V
(V)
TM
Fig 9:
On-state characteristics (maximum values).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
Rth(j-a) (°C/W)
S(Cu) (cm2)
Fig 10:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
TS1220-600B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS1220 | SENSITIVE SCR |
| TS12N20CS | Single N-Channel 4.5V Specified MicroSurf |
| TS12N30CS | DC-DC Converter Control and Synchronous AceFET |
| TS12 | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TS1220-600B-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H-E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR SCR 600V 115A 3PIN IPAK - Rail/Tube |
| TS1220-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600T | 功能描述:SCR 12A SCR 2 to 5mA IGT-Calibrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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