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参数资料
| 型号： | TSM55N03 |
| 厂商： | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | TSM55N03 |
TSM55N03
3-3
2005/04 rev. B
TO-252 Mechanical Drawing
B
C
D
A
F
G
I
H
E
J
TO-252 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
6.570
6.840
9.250
10.400
0.550
0.700
2.560
2.670
2.300
2.390
0.490
0.570
1.460
1.580
0.520
0.570
5.340
5.550
1.460
1.640
INCHES
MIN
0.259
0.364
0.022
0.101
0.090
0.019
0.057
0.020
0.210
0.057
DIM
MAX
0.269
0.409
0.028
0.105
0.094
0.022
0.062
0.022
0.219
0.065
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSM55N03CP | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| TSM5NS50CP | 500V N-Channel Power MOSFET |
| TSM5NS50 | 500V N-Channel Power MOSFET |
| TSM5NS50CPRO | 500V N-Channel Power MOSFET |
| TSM6968D | 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TSM55N03_07 | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET |
| TSM55N03_08 | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET |
| TSM55N03CP | 功能描述:MOSFET 25V N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| TSM55N03CP R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO-252;30V 55AMP N CHANEL MOSF |
| TSM55N03CP RO | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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