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参数资料
| 型号： | TT8J2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 84 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 460pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TT8J2DKR |
TT8J2
Data Sheet
500
400
Ta=25°C
Pulsed
1000
t d (off)
Ta=25°C
V DD = -15V
V GS = -10V
10
8
300
I D = -2.5A
100
t f
R G =10 ?
Pulsed
6
200
10
4
Ta=25°C
V DD = -15V
100
I D = -1.2A
t r
t d (on)
2
I D = -2.5A
R G =10 ?
Pulsed
0
1
0
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Ta=25°C
f=1MHz
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
1000
100
10
V GS =0V
Crss
Coss
Ciss
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.02 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8M2TR | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| TXN310110000000 | TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL |
| U5151-000005-030PA | SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT8K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| TT8K11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Nch MOSFET |
| TT8K1TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| TT8K2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
| TT8K2_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
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