型号: | TT8M2TR |
厂商: | Rohm Semiconductor |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 |
标准包装: | 3,000 |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V,20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 2.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 90 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 3.2nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 180pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-TSST |
供应商设备封装: | 8-TSST |
包装: | 带卷 (TR) |