参数资料
型号: TT8M2TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8
标准包装: 3,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V,20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSST
供应商设备封装: 8-TSST
包装: 带卷 (TR)
TT8M2
Data Sheet
300
Ta=25°C
10
V GS =0V
5
250
Pulsed
Pulsed
4
200
I D = -2.5A
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
3
150
Ta=-25°C
2
100
0.1
Ta=25°C
V DD = -10V
50
0
I D = -1.2A
0.01
1
0
I D = -2.5A
R G =10 ?
Pulsed
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
10000
Ta=25°C
V DD = -10V
1000
Ciss
1000
t d (off)
t f
V GS =-4.5V
R G =10 ?
Pulsed
Coss
100
100
Crss
10
Ta=25°C
f=1MHz
t r
t d (on)
10
V GS =0V
1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.14 Switching Characteristics
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2009.06 - Rev.A
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PDF描述
TT8U1TR MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
TXN310110000000 TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL
U5151-000005-030PA SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2'
UB01KW035C-CC INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP
UB201KW036G-3JB INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP
相关代理商/技术参数
参数描述
TT8M3 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET
TT8O 功能描述:电缆组件 SNGLE 3COND PTCH COR RoHS:否 制造商:Molex 产品:Power Assemblies 类型:Cable Assembly 连接器端口 A:No Connector 连接器端口 A 管脚计数:4 连接器端口 B:No Connector 连接器端口 B 管脚计数: 型式:Male 线规 - 美国线规(AWG):20, 28 长度:0.305 m 颜色:Black, Red
TT8OX 功能描述:PATCHCORD SGL 3COND ORANGE 8FT RoHS:是 类别:电缆组件 >> 套管 - 音频 系列:TT 标准包装:1 系列:- 第一连接器:音频(RCA)插头 第二连接器:音频(RCA)插头 通道:单声 长度:15.0'(4.57m) 颜色:黑 屏蔽:- 使用:多媒体缆线
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