参数资料
| 型号： | UESD3.3DT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT 3.3V SOT-723 |
| 产品变化通告： | Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008 Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | uESD |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5V |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UESD3.3DT5GOSDKR |
m ESD3.3DT5G SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
V RWM
Working Peak Reverse Voltage
I F
I
I R V F
I R
V BR
I T
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
V C V BR V RWM
I T
V
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
P pk
C
Peak Power Dissipation
Max. Capacitance @V R = 0 and f = 1 MHz
I PP
Uni ? Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted, V F = 1.1 V Max. @ I F = 10 mA for all types)
Device
V RWM (V)
I R ( m A) @ V RWM
V BR (V) @ I T
(Note 2)
I T
C (pF)
Device*
UESD3.3DT5G
UESD5.0DT5G
UESD6.0DT5G
Marking
L0
L2
L3
Max
3.3
5.0
6.0
Max
1.0
0.1
0.1
Min
5.0
6.2
7.0
mA
1.0
1.0
1.0
Typ
47
38
34
*Other voltages available upon request.
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| UESD5.0ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESD6.0DT5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESDXXDT5G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ESD Protection Diodes |
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