参数资料
| 型号： | UESD3.3DT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT 3.3V SOT-723 |
| 产品变化通告： | Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008 Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | uESD |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5V |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UESD3.3DT5GOSDKR |
m ESD3.3DT5G SERIES
TYPICAL CHARACTERISTICS
7.4
7.3
7.2
20
18
16
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
m ESDxxDT5G
14
12
10
8
6.6
6.5
6.4
6
4
2
m ESDxxDT5G
6.3
? 55
+ 25
+ 150
0
? 55
+ 25
+ 150
45
40
35
30
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
300
250
200
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Leakage Current
versus Temperature
25
20
m ESDxxDT5G
150
15
10
5
100
50
FR ? 5 BOARD
0
0
1
2
3
4
5
0
0
25
50
75 100 125
150
175
BIAS VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Capacitance versus Bias Voltage
Figure 5. Positive 8 kV contact per IEC 6100 ? 4 ? 2
? m ESD5.0DT5G
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Steady State Power Derating Curve
Figure 6. Negative 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
? m ESD5.0DT5G
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| UESD5.0ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESD6.0DT5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| UESDXXDT5G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ESD Protection Diodes |
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