参数资料
型号: ULQ2003ATDG4Q1
厂商: Texas Instruments
文件页数: 13/17页
文件大小: 0K
描述: IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
标准包装: 40
类型: 达林顿晶体管矩阵
驱动器/接收器数: 7/0
电源电压: 6 V ~ 15 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
Open
VCE
Open
ICEX
Open
VCE
VI
ICEX
Open
II(on)
VI
Open
VCE
IC
II(off)
Open
VCE
IC
II
hFE =
IC
II
Open
VCE
IC
VI(on)
IF
VF
Open
VR
Open
IR
www.ti.com
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 1. ICEX Test Circuit
Figure 2. ICEX Test Circuit
Figure 3. II(off) Test Circuit
Figure 4. II Test Circuit
C.
II is fixed for measuring VCE(sat), variable for measuring hFE.
Figure 5. hFE, VCE(sat) Test Circuit
Figure 6. VI(on) Test Circuit
Figure 7. IR Test Circuit
Figure 8. VF Test Circuit
Figure 9. Propagation Delay-Time Waveforms
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
5
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相关PDF资料
PDF描述
UPD70F3025AGC-33-8EU-A MCU 32BIT 256K FLASH 100LQFP
UPD70F3201YGC-YEU-A MCU 32BIT I2C 100TQFP
UPD70F3452GC-UBT-A MCU 32BIT 256KB FLASH 80LQFP
UPD70F3714GC-8BS-A MCU 32BIT V850ES/LX2 64-LQFP
UPD70F3757GJ-GAE-AX MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
ULQ2003ATDQ1 功能描述:达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi Crnt Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULQ2003ATDRAS 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATDRG4Q1 功能描述:达林顿晶体管 Darl Trans Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULQ2003ATDRQ1 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULQ2003ATDRRB 制造商:Texas Instruments 功能描述: