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参数资料
| 型号： | ULQ2003ATDG4Q1 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC |
| 标准包装： | 40 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 6 V ~ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
0
IC - Collector Current - mA
2.5
800
0
100
200
300
400
500
600
700
0.5
1
1.5
2
II = 350 A
II = 500 A
V
C
E
(s
a
t)
-
C
o
ll
e
c
to
r-E
m
it
te
r
S
a
tu
ra
ti
o
n
V
o
lta
g
e
-
V
C
E
(s
a
t)
TA = 25°C
II = 250 A
2
1.5
1
0.5
700
600
500
400
300
200
100
0
800
2.5
IC(tot) - Total Collector Current - mA
0
V
C
E
(s
a
t)
-
C
o
ll
e
c
to
r-E
m
itt
e
r
S
a
tu
ra
ti
o
n
V
o
lta
g
e
-
V
C
E
(s
a
t)
II = 250 A
II = 350 A
II = 500 A
TA = 25°C
0
II - Input Current - A
500
200
0
25
50
75
100
125
150
175
50
100
150
200
250
300
350
400
450
VS = 10 V
VS = 8 V
IC
-
C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rr
e
n
t
-
m
A
CI
RL = 10
TA = 25°C
0
Duty Cycle - %
600
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200
300
400
500
TA = 70°C
N = Number of Outputs
Conducting Simultaneously
N = 6
N = 7
N = 5
N = 3
N = 2
N = 1
IC
-
M
a
x
im
u
m
C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rr
e
n
t
-
m
A
CI
N = 4
www.ti.com
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
TYPICAL CHARACTERISTICS
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
TOTAL COLLECTOR CURRENT (TWO DARLINGTONS IN
COLLECTOR CURRENT (ONE DARLINGTON)
PARALLEL)
Figure 11.
Figure 12.
D PACKAGE
COLLECTOR CURRENT
MAXIMUM COLLECTOR CURRENT
vs
INPUT CURRENT
DUTY CYCLE
Figure 13.
Figure 14.
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
7
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD70F3025AGC-33-8EU-A | MCU 32BIT 256K FLASH 100LQFP |
| UPD70F3201YGC-YEU-A | MCU 32BIT I2C 100TQFP |
| UPD70F3452GC-UBT-A | MCU 32BIT 256KB FLASH 80LQFP |
| UPD70F3714GC-8BS-A | MCU 32BIT V850ES/LX2 64-LQFP |
| UPD70F3757GJ-GAE-AX | MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ULQ2003ATDQ1 | 功能描述:达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi Crnt Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003ATDRAS | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| ULQ2003ATDRG4Q1 | 功能描述:达林顿晶体管 Darl Trans Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003ATDRQ1 | 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ULQ2003ATDRRB | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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