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参数资料
| 型号： | UM6J1NTN |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 |
| 产品目录绘图： | UM6K Series SOT-363 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | UM6J1NTNDKR |
4V Drive Pch MOSFET
UM6J1N
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
UMT6
2.0
1.3
0.9
Features
0.65
0.65
0.7
1) Two RSU002P03 transistors in a single UMT package.
(6)
(5)
(4)
2) The MOSFET elements are independent, eliminating
mutual interference.
3) Mounting cost and area can be cut in half.
1pin mark
(1)
(2)
0.2
(3)
0.15
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : J01
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Type
UM6J1N
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TN
3000
? 2
(6)
(5)
? 1
(4)
? 2
? 1
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 30
± 20
Unit
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
± 0.2
± 0.4
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D
Tch
Tstg
? 2
150
120
150
? 55 to + 150
mW / TOTAL
mW / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
Rth(ch-a)
?
833
1042
° C/W / TOTAL
° C/W / ELEMENT
? Each terminal mounted on a recommended land
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UM6K1NTN | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 |
| UNI-SDK-RWD | EVAL KIT FOR RFID/USB/RS232 |
| UPA2200T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM |
| UPA2201T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM |
| UPA2211T1M-T1-AT | MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UM6K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
| UM6K1N | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1N_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1NTN | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| UM6K31N | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:2.5V Drive Nch + Nch MOSFET |
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