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参数资料
| 型号： | UM6J1NTN |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 |
| 产品目录绘图： | UM6K Series SOT-363 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | UM6J1NTNDKR |
UM6J1N
Data Sheet
10
V GS = ? 10V
Pulsed
10
Ta=125°C
V GS = ? 4.5V
Pulsed
10
Ta=125°C
V GS = ? 4V
Pulsed
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
?25°C
1
0.1
75°C
25°C
?25°C
1
0.1
75°C
25°C
?25°C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
1
0
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
Ta=25 ° C
Pulsed
V GS = ?4V
V GS = ?4.5V
V GS = ?10V
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
0.01
0.1
1
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.10 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/3
2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UM6K1NTN | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 |
| UNI-SDK-RWD | EVAL KIT FOR RFID/USB/RS232 |
| UPA2200T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM |
| UPA2201T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM |
| UPA2211T1M-T1-AT | MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UM6K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
| UM6K1N | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1N_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1NTN | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| UM6K31N | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:2.5V Drive Nch + Nch MOSFET |
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