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参数资料
| 型号： | UM6J1NTN |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 |
| 产品目录绘图： | UM6K Series SOT-363 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | UM6J1NTNDKR |
UM6J1N
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
±10
Unit
μ A
Conditions
V GS =±20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r ?
t d (off) ?
t f ?
?
? 1.0
?
?
?
0.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.9
1.4
1.6
?
30
4
5
8
5
30
40
? 1
? 2.5
1.4
2.1
2.4
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 0.2A, V GS = ? 10V
I D = ? 0.15A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 0.15A, V GS = ? 4V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.15A
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 15V
I D = ? 0.15A
V GS = ? 10V
R L 100 ?
R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (source-drain)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
? 1.2
V
I S = ? 0.1A, V GS =0V
? Pulsed
Electrical characteristic curves
V DD = ? 15V
I D = ? 200mA
100
Ta=25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
1000
tf
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 10V
R G =10 ?
Pulsed
8
Ta=25 ° C
7
R G =10 ?
6 Pulsed
Ciss
10
Crss
Coss
100
10
td(off)
td(on)
5
4
3
2
tr
1
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
?25°C
V DS = ? 10V
Pulsed
20
15
I D = ?125mA
I D = ?200mA
Ta=25 ° C
Pulsed
1
Ta=125°C
75°C
25°C
V GS =0V
Pulsed
0.01
10
5
0.1
?25°C
0.001
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UM6K1NTN | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 |
| UNI-SDK-RWD | EVAL KIT FOR RFID/USB/RS232 |
| UPA2200T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM |
| UPA2201T1M-T1-AT | MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM |
| UPA2211T1M-T1-AT | MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UM6K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
| UM6K1N | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1N_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| UM6K1NTN | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| UM6K31N | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:2.5V Drive Nch + Nch MOSFET |
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