参数资料
型号: UMN11NTN
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 343K
描述: DIODE SW 80V 100MA SOT-363 TR
产品培训模块: Diodes Overview
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 80V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: UMD6
包装: 带卷 (TR)
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
UMN11N
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Small mold type. (UMD6)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Pd mW150
Tj °C150
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Reverse recovery time
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Storage temperature
Power dissipation
Junction temperature
Average rectified forward current (single)
Surge current (t=1us)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward current (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
UMD6
0.35
0.9
1.6
0.650.65
2.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
      0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.1±0.1
2.45±0.1
2.4±0.1
5.5±0.2
1.15±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0~0.5
ROHM : UMD6
JEDEC : SOT-363
JEITA : SC-88
dot (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.25±0.1
0.05
Each lead has same dimension各リードとも
同寸法
(5)
(6)
(4)
1.3±0.1
0.65
0.65
(1) (3)(2)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7
0.1Min
0~0.1
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2011.06 - Rev.B
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PDF描述
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