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参数资料
| 型号： | UMN1NTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 345K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 25MA SOT-353 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | SOT-353 Front |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 5mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 25mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | UMD5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | UMN1NDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
UMN1N
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Small mold type. (UMD5)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (Single) 80IFM
mA
Io mA25
Surge current (t=1us) 250Isurge
mA
Pd mW150
Tj °C150
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 0.9 V
IF=5mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Reverse recovery time
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Storage temperature
Power dissipation
Junction temperature
Average rectified forward current (single)
Reverse voltage (repetitive peak)
80
UMD5
0.35
0.9
1.6
0.650.65
2.25±0.1
0
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.1±0.1
2.45±0.1
1.15±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
2.4±0.1
0～0.5
5.5±0.2
ROHM : UMD5
JEDEC : SOT-353
JEITA : SC-88A
dot (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.25±0.1
0.05
Each lead has same dimension各リードとも
同寸法
(5)
(4)
1.3±0.1
0.65
0.65
(1) (3)(2)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7
0.1Min
0～0.1
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2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UMN20NTR | DIODE SWITCH 80V 0.1A UMD6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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