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参数资料
| 型号： | UMR11NTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 350K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 0.1A 6UMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对 CA + CC |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UMR11NTRDKR UMR11NTRDKR-ND |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
UMR11N
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.93ns
VR=6V
IF=5mA
RL=50?
D1,D2
D3,D4
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
0
5
10
15
20
AVE:3.50A
8.3ms
Ifsm
1cyc
D1,D2
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (°C/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
AVE:2.40ns
1ms
IM=1mA IF=10mA
300us
time
Mounted on epoxy board
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
5
10
15
20
AVE:2.50A
8.3ms
Ifsm
1cyc
D3,D4
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
3/3
2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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