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参数资料
| 型号： | UPA2732UT1A-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET LV 8HVSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HVSON |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UPA2732UT1A-E1-AYDKR |
μ PA2732T1A
10000
SWITCHING CHARACTERISTICS
-12
-10
DYNAMIC INPUT CHARACTERISTICS
1000
100
t d(off)
t f
t r
-8
-6
-4
V DD = ? 24V
? 15V
? 6V
10
V DD = ? 15V
td (on)
-2
V GS = ? 10V
1
-0.1
R G = 10 Ω
-1
-10
-100
-1000
0
0
50
100
150
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
V GS = ? 10V
10
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
0V
10
0.1
0.01
Pulsed
1
di/dt=50A/ μ s
V GS =0V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G17393EJ1V1DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| UPA2735GR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m |
| UPA2735GR-E2-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m |
| UPA2736GR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -14 A, 7.0 m |
| UPA2736GR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -14 A, 7.0 m |
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