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参数资料
| 型号： | UPA2751GR |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 开关N沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | UPA2751GR |
Data Sheet G15781EJ1V0DS
6
μ
PA2751GR
A) CH1
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature -
C
d
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
120
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature -
C
P
T
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Mounted on ceramic
substrate of
2000 mm
2
×
2.2 mm
2 unit
1 unit
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
1
100
0.01
0.1
0.1
1
10
Mounted on ceramic substrate
of 2000 mm
2
x
2.2 mm
Single Pulse, 1 unit
T
= 25
C
Single Pulse
100
I
D(pulse)
I
D(DC)
R
GS
Lmted
(V
=10V)
10ms
1ms
PW=100
μ
s
PowerDsspaionLmted
PW - Pulse Width - s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
-
1000
100
0.1
0.0001
1
10
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
R
th(ch-A)
= 73.5C/W
Mounted on ceramic substrate
of 2000 mm
2
x
2.2 mm
Single Pulse, 1 unit
T
A
= 25C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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