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参数资料
| 型号： | UPA2756GR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2756GR
20
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
100
15
Pulsed
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 40°C
25°C
10
V GS = 10 V
0.1
75°C
125°C
150°C
0.01
5
4.0 V
0.001
0
0.0001
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0
1
2
3
4
5
3
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
1
0.1
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 40°C
25°C
75°C
125°C
150°C
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
200
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
200
180
160
Pulsed
180
160
Pulsed
I D = 4.0 A
140
140
2.0 A
120
100
80
60
V GS = 4.0 V
10 V
120
100
80
60
0.8 A
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
4
I D - Drain Current – A
Data Sheet G17407EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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