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参数资料
| 型号： | UPA2756GR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2756GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
200
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
180
160
140
120
100
80
I D = 2.0 A
Pulsed
V GS = 4.0 V
10 V
100
C iss
C oss
60
40
20
0
10
1
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 30 V
60
I D = 4.0 A
12
100
V GS = 10 V
R G = 10 ?
50
40
V DD = 48 V
30 V
12 V
10
8
t d(off)
t f
30
6
10
t d(on)
20
V GS
4
t r
10
V DS
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
Pulsed
1000
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
10
V GS = 10 V
100
4.0 V
0V
1
10
0.1
0.01
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G17407EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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