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参数资料
| 型号： | UPA2757GR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2757GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
2.5
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
2000 mm x 1.6 mmt
100
80
2
1.5
2 units
1 unit
Mounted on ceramic
substrate of
2
60
1
40
20
0
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
it e
m ) Po
Li
V
er
n) i 0 D
1
S(
is
=
si
R
S
(V
20
1 i
s
1 i 0
s
at
io
Li
it e
s
10
1
0.1
I D(pulse)
I D(DC)
DC
d
w
o
D
G
Mounted on ceramic substrate of
p
PW
=
m
i
m
i
n
m
0
d
μ s
1 i 0
0
m
i
2000 mm 2 x 1.6 mmt, 1 unit
T A = 25 ° C
0.01
Single pulse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
R th(ch-A) = 73.5 ° C/W i
Mounted on ceramic substrate of 2000 mm 2 x 1.6 mmt, 1 unit
T A = 25 ° C
Single pulse
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m 1
PW - Pulse Width – s
10
100
1000
4
Data Sheet G18206EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-LC53BR-1200 | OSC 1200 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B22JB | SW TOGGLE DPDT BAT STR W/BRACKET |
| FXO-PC728-212.5 | OSC 212.5 MHZ 2.5V PECL SMD |
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| FXO-PC728-266 | OSC 266 MHZ 2.5V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2757GR-E2-AT | 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA2761UGR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2761UGR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2761UGR-E2-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| UPA2762UGR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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