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参数资料
| 型号： | UPA603T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 17pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA603T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State Resistance
Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
|y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
TEST CONDITIONS
V DS = –50 V, V GS = 0
V GS = +16 V, V DS = 0
V DS = –5.0 V, I D = –1.0 μ A
V DS = –5.0 V, I D = –10 mA
V GS = –4.0 V, I D = –10 mA
V GS = –10 V, I D = –10 mA
V DS = –5.0 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz
V GS(on) = –4.0 V, R G = 10 ? ,
V DD = –5.0 V, I D = –10 mA, R L = 500 ?
MIN.
–
–
–1.5
15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
TYP.
–
–
–1.9
–
60
40
17
9
1
45
75
25
80
MAX.
–1.0
+1.0
–2.5
–
100
60
–
–
–
–
–
–
–
UNIT
μ A
μ A
V
mS
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Marking: JA
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS
V GS
DUT
R L
V DD
Gate
voltage
waveform
10 %
V GS(on)
90 %
R G
I D
PG.
Drain
current
0
t d(on)
10 %
t r
t d(off)
t f
10 %
2
0
V GS
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1 %
waveform
90 %
I D
90 %
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PDF描述 |
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