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参数资料
| 型号： | UPA603T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 17pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA603T
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
100
I D = –1 mA
Pulsed
measurement
150
V GS = –4 V
Pulsed
measurement
100
T A = 150 ?C
50
I D = –10 mA
50
75 ?C
25 ?C
–25 ?C
0
–4 –8 –12 –16
–20
0
–1
–2
–5 –10 –20
–50
–100
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
I D - Drain Current - mA
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
140
V GS = –4 V
I D = –10 mA
100
50
V GS = 0
f = 1 MHz
120
20
C iss
100
10
80
5
2
C oss
60
1
40
0.5
0.2
C rss
20
–30
0 30 60 90 120
150
0.1
–0.5
–1
–2 –5 –10 –20 –50 –100
T ch - Channel Temperature - ?C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
500
V DD = –5.0 V
100
200
t r
V GS = –4 V
R G = 10 ?
100
50
20
10
t d(on)
t f
t d(off)
10
1
5
–5
–10
–20 –50 –100 –200
–500
0.1
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9
1
4
I D - Drain Current - mA
V SD - Source to Drain Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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