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参数资料
| 型号： | UPA610TA-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.7V @ 10µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA610TA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
CHARACTERISTIC
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
R DS(on)1
MIN.
–1.0
20
TYP.
–1.4
23
MAX.
–1
+10
–1.7
60
UNIT
μ A
μ A
V
mS
?
TEST CONDITIONS
V DS = –30 V, V GS = 0
V GS = +20 V, V DS = 0
V DS = –3 V, I D = –10 μ A
V DS = –3 V, I D = –10 mA
V GS = –2.5 V, I D = –1 mA
Resistance
Drain to Source On-State
R DS(on)2
11
23
?
V GS = –4 V, I D = –10 mA
Resistance
Drain to Source On-State
R DS(on)3
6
13
?
V GS = –10 V, I D = –10 mA
Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
5
15
1.3
140
330
220
320
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = –3 V
V GS = 0
f = 1 MHz
V DD = –3 V, I D = –10 mA
V GS(on) = –4 V, R G = 10 ?
R L = 300 ?
2
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