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参数资料
| 型号： | UPA610TA-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.7V @ 10µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA610TA
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
–100
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
80
60
40
–80
–60
–40
V GS = – 10 V
V GS = – 6 V
V GS = – 4 V
V GS = – 3 V
20
0
–20
0
V GS = – 2.5 V
0
30 60 90 120
150
0
–1 –2 –3 –4
–5
T A - Ambient Temperature - ?C
TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
–100
V DS = – 3 V
1000
V DS = – 3 V
–10
T A = 125 °C
100
–1
–0.1
–0.01
–0.001
T A = 75 °C
T A = 25 °C
T A = – 25 °C
10
1
T A = – 25 °C
T A = 25 °C
T A = 75 °C
T A = 125 °C
0
–0.8
–1.6
–2.4
–3.2
–4.0
–0.1
–1
–10
–100
–1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON–STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON–STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
60
50
40
V GS = – 2.5 V
T A = 125 °C
60
50
40
V GS = – 4 V
T A = 75 °C
30
30
T A = 125 °C
20
T A = 25 °C
20
T A = 75 °C
10
0
T A = – 25 °C
10
0
T A = 25 °C
T A = – 25 °C
–0.1
–1 –10 –100
–1000
–0.1
–1 –10 –100
–1000
I D - Drain Current - mA
I D - Drain Current - mA
3
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