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参数资料
| 型号： | UPA675T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 10µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA675T
30
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
T A = – 25 ? C
30
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
T A = 25 ? C
20
I D = 10 mA
20
I D = 10 mA
10
1 mA
10
1 mA
0
1
2 3 4
5
6
7
0
1
2 3 4
5
6
7
30
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
200
V GS - Gate to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD
VOLTAGE
T A = 75 ? C
100
50
20
I D = 10 mA
10
1 mA
20
10
5
2
1
0
1
2 3 4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V SD - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
50
20
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
500
200
100
V DD = 3 V
V GS = 3 V
t r
5
2
50
t f
t d(on)
1
C rss
20
t d(off)
0.5
1
2 5 10
20
50
10
20
50 100
200
500
4
V DS - Drain to Source Voltage - V
Data Sheet G15454EJ1V0DS
I D - Drain Current - mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA677TB-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA677TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA677TB-T1-A | 功能描述:MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA677TB-T2-A | 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA678TB | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA678TB-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
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