参数资料
型号: UPA675T-T2-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 16V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 10µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 10pF @ 3V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-88
包装: 带卷 (TR)
μ PA675T
[MEMO]
6
Data Sheet G15454EJ1V0DS
相关PDF资料
PDF描述
UPA677TB-T2-A MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70
UPA678TB-T2-A MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70
UPA679TB-T2-A MOSFET N/P-CH 20V SC-70
UPB1007K-E1-A IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN
UPB1008K-EVAL EVAL BOARD FOR UPB1008K
相关代理商/技术参数
参数描述
UPA677TB 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA677TB-T1-A 功能描述:MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA677TB-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA678TB 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel