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参数资料
| 型号： | US5U35TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 700mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U35DKR |
US5U35
Transistor
Electrical characteristic curves
1
V DS = ? 10V
10
V GS = ? 10V
10
V GS = ? 4.5V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
0.1
0.01
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
0.001
0.0001
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.1
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Drain Current( Ι )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Drain Current( ΙΙ )
10
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
V GS = ? 4V
Pulsed
1000
100
Ta = 25 ° C
f = 1MHZ
V GS = 0V
C iss
1000
100
t f
Ta = 25 ° C
V DD = ? 25V
V GS = ? 10V
R G =10 ?
Pulsed
1
t d(off)
10
C oss
C rss
10
t d(on)
t r
0.1
0.01
0.1
1
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Drain Current( ΙΙΙ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.5 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.6 Switching Characteristics
10
8
6
Ta = 25 ° C
V DD = ? 25V
I D = ? 0.7A
R G =10 ?
Pulsed
1
0.1
0.01
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
V GS =0V
Pulsed
10
1
Ta =? 25 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 125 ° C
V GS = ? 10V
Pulsed
4
0.1
0.001
2
0
0
1
2
3
4
0.0001
0
0.5
1.0
1.5
0.01
0.001
0.01
0.1
1
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.7 Dynamic Input Characteristics
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.8 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Forward Transfer Admittance
vs.Drain Current
3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| US6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U38 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET |
| US5U38TR | 功能描述:MOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U3TR | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US600EL | 制造商:Telex 功能描述:Dynamic noise-canceling grip-to-talk microphone, black |
| US-601 | 制造商:Brainboxes 功能描述:USB to Serial, USB RS422/485 8 Way HUB 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB MULTIDROP 8 WAY USB TO RS422/485 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB, MULTIDROP, 8 WAY, USB TO RS422/485 制造商:Brainboxes 功能描述:USB RS422/485 8 WAY HUB 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB, MULTIDROP, 8 WAY, USB TO RS422/485; Convert From:USB 2.0; Convert To:8x RS422/485 Serial Ports; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012) ;RoHS Compliant: Yes |
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