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参数资料
| 型号： | US5U35TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 700mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U35DKR |
US5U35
Transistor
10000
Pulsed
Ta = 125 ℃
0.1
Pulsed
1000
Ta = 75 ℃
100
Ta = 125 ℃
10
Ta = 25 ℃
0.01
Ta = 75 ℃
Ta = 25 ℃
1
0.1
0.01
Ta= - 25 ℃
0.001
Ta= - 25 ℃
0
5
10 15 20 25 30 35 40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
REVERSE VOLTAGE : VR [V]
Fig.10 Reverse Current vs. Reverse Voltage
FORWARD VOLTAGE : VF(V)
Fig.11 Forward Current vs. Forward Voltage
Notice
1. SBD has a large reverse leak current compared to other type of diode. Therefore; it would raise a junction temperature,
and increase a reverse power loss. Further rise of inside temperature would cause a thermal runaway.
This built-in SBD has low V F characteristics and therefore, higher leak current. Please consider enough the
surrounding temperature, generating heat of MOSFET and the reverse current.
2. This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| US6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| US6K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 |
| US6K4TR | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U38 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET |
| US5U38TR | 功能描述:MOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U3TR | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US600EL | 制造商:Telex 功能描述:Dynamic noise-canceling grip-to-talk microphone, black |
| US-601 | 制造商:Brainboxes 功能描述:USB to Serial, USB RS422/485 8 Way HUB 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB MULTIDROP 8 WAY USB TO RS422/485 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB, MULTIDROP, 8 WAY, USB TO RS422/485 制造商:Brainboxes 功能描述:USB RS422/485 8 WAY HUB 制造商:BRAINBOXES 功能描述:HUB, MULTIDROP, 8 WAY, USB TO RS422/485; Convert From:USB 2.0; Convert To:8x RS422/485 Serial Ports; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012) ;RoHS Compliant: Yes |
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