- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录532 > US6U37TR (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | US6U37TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6U37DKR |
US6U37
Transistors
Electrical characteristics curves
1000
Ta=25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
1000
tf
Ta=25 ° C
V DD =15V
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
6
Ta=25 ° C
V DD =15V
5 I D =1.5A
R G =10 ?
Pulsed
100
Coss
Crss
100
td(off)
4
3
10
1
10
1
td(on)
tr
2
1
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1
0.1
0.01
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V DS =10V
Pulsed
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I D =0.75A
I D =1.5A
Ta=25 ° C
Pulsed
10
1
0.1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =0V
Pulsed
0.2
0.1
0.001
0
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10
V GS =4.5V
10
V GS =4.0V
10
V GS =2.5V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
1
Ta=125 ° C
1
Ta=125 ° C
1
Ta=125 ° C
75 ° C
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
25 ° C
? 25 ° C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
3/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
| USUG1000-103GRB | THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL |
| USUR1000-104G-06 | THERMSTR NTC 100K 2% RING LUG UL |
| V23836-C18-C63 | TXRX OPT 1X9 155MB/S 1310NM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6X3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
| US6X3_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (12V, 3A) |
| US6X3TR | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| US6X4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (30V, 2A) |
| US6X4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (30V, 2A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。