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参数资料
| 型号： | US6U37TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6U37DKR |
US6U37
Transistors
100000
Pulsed
Ta = 125 ℃
1
pulsed
10000
1000
100
Ta = 75 ℃
Ta = 25 ℃
0.1
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
10
1
Ta= - 25 ℃
0.01
Ta = 25 ℃
Ta= - 25 ℃
0.1
0.01
0.001
0
5
10
15
20
25
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
REVERSE VOLTAGE : VR [V]
Fig.10 Reverse Current vs. Reverse
FORWARD VOLTAGE : V F (V)
Fig.11 Forward Current vs. Forward Voltage
Measurement circuit
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
D.U.T.
V DS
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.12 Switching Time Test Circuit
Fig.13 Switching Time Waveforms
V G
I G (Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.14 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.15 Gate Charge Waveform
Notice
1. SBD has a large reverse leak current compared to other type of diode. Therefore; it would raise a junction temperature,
and increase a reverse power loss. Further rise of inside temperature would cause a thermal runaway.
This built-in SBD has low V F characteristics and therefore, higher leak current. Please consider enough the
surrounding temperature, generating heat of MOSFET and the reverse current.
2. This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| US6X4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (30V, 2A) |
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