- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录116 > V30100C-E3/4W (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO220-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | V30100C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 156K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V30100C-E3/4W-ND V30100C-E3/4WGI |
New Product
V30100C, VF30100C, VB30100C & VI30100C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89010
Revision: 24-Jun-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TA
= 125 °C
TA
= 150 °C
TA
= 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
10
1000
100
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V(B,J)30100C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF30100C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V30100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 15A TO3PW |
| V30150C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AB |
| V40100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW |
| V50100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW |
| V60200PGW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 200V 30A TO3PW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V30100CHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT. |
| V30100CHM3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30100C-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,DUAL TRENCH SKY RECT. |
| V30100C-M3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30100P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。