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参数资料
| 型号： | V30150C-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 156K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.36V @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V30150C-M3/4WGI |
New Product
V30150C, VF30150C, VB30150C & VI30150C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89047
Revision: 24-Jun-09
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Instan
taneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.0.6 1.08
1.2 1.61.4
100
10
1
0.1
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
10 20 30 40
50
60 70
80 90 100
1
0.1
0.01
0.0001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
0.001
TA
= 150 °C
TA= 25 °C
TA
= 100 °C
TA
= 125 °C
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
10
100
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
V(B,I)30150C
Junction to Case
10
0.1
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
VF30150C
Junction to Case
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