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参数资料
| 型号： | V40100PW-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 448K |
| 描述： | DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 770mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PW |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V40100PW-M3/4WGI |
V40100PW
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 22-Dec-13
2
Document Number: 89179
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
?
?
?
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage IR
= 1.0 mA T
A
= 25 °C V
BR
100 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage per diode
IF
= 5 A
= 10 A 0.56 -
TA
= 25 °C
= 20 A 0.69 0.77
VF
(1)
IF
= 5 A
0.39 -
0.48 -
V
IF
IF
= 10 A 0.50 -
TA
= 125 °C
IF
IF
= 20 A 0.61 0.69
Reverse currentper diode
VR
= 70 V
TA
= 25 °C
= 125 °C 11 - mA
IR
(2)
TA
= 25 °C - 1000 μA
23 - μA
TA
VR
= 100 V
TA
= 125 °C 29 80 mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL V40100PW UNIT
Typical thermal resistance
per diode
R?JC
per device 0.8
1.5
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-3PW V40100PW-M3/4W 4.5 4W 30/tube Tube
50
40
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Case Temperature (°C)
Average Forwar
d Current (A)
Resistive or Inductive Load
Mounted on Specifc Heatsink
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
18
12
10
8
6
4
2
0
0 4 8 12 16 20 24
Average Forward Current (A)
Average Power Lo
ss
(W)
16
14
D = tp/T tp
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V4010DFO | 功能描述:电线导管 FIBERREADY ENTRANCE END F RoHS:否 制造商:Panduit 类型:Slotted SideWall Open finger design wiring cut 材料:Polypropylene 颜色:Light Gray 大小: 最大光束直径: 抗拉强度: 外部导管宽度:25 mm 外部导管高度:25 mm |
| V40120C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40120C_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A |
| V40120C_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40120C-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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