- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录116 > V40100PW-M3/4W (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | V40100PW-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 448K |
| 描述： | DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 770mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PW |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V40100PW-M3/4WGI |
V40100PW
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 22-Dec-13
3
Document Number: 89179
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous
Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.6 0.7 0.80.1 0.3 0.5
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
20 30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Current (mA)
1 10 100
0.1
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
1000
F)
10 000
100
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
10
1
0.1
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
TO-3PW
0.645 (16.38)
0.625 (15.87)
0.323 (8.20)
0.313 (7.95)
0.245 (6.23)
0.225 (5.72)
0.840 (21.34)
0.820 (20.83)
0.170 (4.32)
? 0.146 (3.71)
? 0.136 (3.45)
0.090 (2.29)
0.080 (2.03)
0.131 (3.33)
0.121 (3.07)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.225 (5.72)
0.205 (5.21)
0.565 (14.35)
0.545 (13.84)
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.551 (14.00)
0.537 (13.64)
0.077 (1.96)
0.063 (1.60)
0.079 (2.01)
0.065 (1.65)
0.467 (11.86)
0.453 (11.51)
5° Ref.
Both
Side
s
R0.155 (R3.94)
R0.145 (R3.68)
3° Ref.
30° Ref.
10° Typ.
Both
Side
s
3° Ref.
3° Ref.
0.050 (1.27)
0.175 (4.45)
0.165 (4.19)
0.030 (0.75)
0.020 (0.50)
0.098 (2.50)
0.083 (2.12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V50100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW |
| V60200PGW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 200V 30A TO3PW |
| V80100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 40A TO3PW |
| VB20200C-E3/8W | DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY |
| VB20200G-E3/8W | DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V4010DFO | 功能描述:电线导管 FIBERREADY ENTRANCE END F RoHS:否 制造商:Panduit 类型:Slotted SideWall Open finger design wiring cut 材料:Polypropylene 颜色:Light Gray 大小: 最大光束直径: 抗拉强度: 外部导管宽度:25 mm 外部导管高度:25 mm |
| V40120C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40120C_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A |
| V40120C_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40120C-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。