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参数资料
| 型号： | V54C3128164VBI6 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 13/56页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | V54C3128164VBI6 |
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V54C3128(16/80/40)4VB Rev.1.5 March 2006
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
Timing Diagrams
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
4.2 Minimum Read to Write Interval
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
5. Burst Write Operation
6. Write and Read Interrupt
6.1 Write Interrupted by a Write
6.2 Write Interrupted by Read
7. Burst Write & Read with Auto-Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Burst Write Operation
8.2 Termination of a Burst Write Operation
9. AC- Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
9.2 AC Parameters for a Read Timing
10. Mode Register Set
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
12. Power Down Mode
13. Self Refresh (Entry and Exit)
14. Auto Refresh (CBR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBS8PC | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3128804VAS7PC | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3128804VCLC7E | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| V54C3128804VCT7PCE | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V54C316162VAT10 | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBI7 | 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128164VS | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
| V54C3128404VS | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
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