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参数资料
| 型号： | V54C3128804VCLT6E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 11/56页 |
| 文件大小： | 681K |
| 代理商： | V54C3128804VCLT6E |
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19
V54C3128(16/80/40)4VC Rev. 1.1 October 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VC
Read Cycle
23
tOH
Data Out Hold Time
2
–
2.5
–
2.5
–
2.5
–
ns
2
24
tLZ
Data Out to Low Impedance Time
1
–
1
–
1–1–
ns
25
tHZ
Data Out to High Impedance Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
–
_
4.5
–
_
5.4
–
_
5.4
–
_
5.4
ns
7
26
tDQZ
DQM Data Out Disable Latency
–
2–2
–2–2
CLK
Write Cycle
27
tWR
Write Recovery Time for Auto precharge
2
–2–
2–2–
CLK
28
tDQW
DQM Write Mask Latency
0
–0–
0–0–
CLK
#
Symbol
Parameter
Limit Values
Unit
Note
-5
-6
-7PC
-7
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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