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参数资料
| 型号： | V54C3128804VCLT6E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 18/56页 |
| 文件大小： | 681K |
| 代理商： | V54C3128804VCLT6E |
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25
V54C3128(16/80/40)4VC Rev. 1.1 October 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VC
5. Burst Write Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
6.1 Write Interrupted by a Write
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Extra data is ignored after
The first data element and the Write
are registered on the same clock edge.
termination of a Burst.
don’t care
COMMAND
NOP
WRITE A
WRITE B
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
NOP
DIN B3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1 Clk Interval
tCCD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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