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参数资料
| 型号： | V54C3128804VCLT6E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 13/56页 |
| 文件大小： | 681K |
| 代理商： | V54C3128804VCLT6E |
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V54C3128(16/80/40)4VC Rev. 1.1 October 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VC
Timing Diagrams
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
4.2 Minimum Read to Write Interval
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
5. Burst Write Operation
6. Write and Read Interrupt
6.1 Write Interrupted by a Write
6.2 Write Interrupted by Read
7. Burst Write & Read with Auto-Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Burst Write Operation
8.2 Termination of a Burst Write Operation
9. AC- Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
9.2 AC Parameters for a Read Timing
10. Mode Register Set
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
12. Power Down Mode
13. Self Refresh (Entry and Exit)
14. Auto Refresh (CBR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V62C3802096LL-85VI | 256K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
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| V827432U24SATGB0 | 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| V54C3256164VDC7PC | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| V54C3128804VT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
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| V54C316162V | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162V-5 | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
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