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参数资料
| 型号： | V54C3256404VDUS7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封装： | MO-210, FBGA-60 |
| 文件页数： | 17/56页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | V54C3256404VDUS7 |
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V54C3256(16/80/40)4VD Rev. 1.9 August 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VD
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
BANK A
NOP
READ A
WRITE A
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
ACTIVATE
1 Clk Interval
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
NOP
READ A
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
tCK1, I/O’s
CAS latency = 2
tCK2, I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
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PDF描述 |
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参数描述 |
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